hth华体会官方网站

化学气相沉积薄膜技术

CVD——Chemical vapor deposition

概      念:气态反应物在一定条件下,通过化学反应,将反应形成的固相产物沉积于基片表面,形成固态薄膜的方法。 

基本特征:由反应气体通过化学反应沉积实现薄膜制备!

设备的基本构成:

主要优势:1)能形成多种金属、非金属和化合物薄膜;
                  2)组分易于控制,易获得理想化学计量比,薄膜纯度高;
                  3)成膜速度快、工效高(沉积速率 >>PVD、单炉处理批量大);
                  4)沉积温度高、薄膜致密、结晶完整、表面平滑、内部残余应力低;
                  5)沉积绕射性好,可在复杂不规则表面(深孔、大台阶)沉积;

主要缺点:1)沉积温度高,热影响显著,有时甚至具有破坏性;
                  2)存在基片-气氛、设备-气氛间反应,影响基片及设备性能及寿命;
                  3)设备复杂,工艺控制难度较大。

气体控制产品查阅

精密气体控制产品查阅




版权所有© hth华体会官方网站       技术支持: